自 1996 年以来一直提供技术解决方案
在 Intlvac，我们专注于刻蚀、蒸发、溅射以及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺技术，这些领域构成了我们的核心专长。
凭借在薄膜镀膜与刻蚀设备领域数十年的专业经验，Intlvac 已将多种先进工艺臻于成熟——包括电子束与热蒸发、直流磁控溅射以及等离子体辅助反应溅射。
在我们的在线商城中，您可以找到 Mark I 和 Mark II 离子源的所有组件。现货供应，次日发货。
Intlvac 是 Leybold 真空产品及认证服务在加拿大的独家分销商
与所有 Intlvac 系统一样，Nanochrome™ IV PARMS 系统 采用 Intlvac 享誉全球的离子源。这些离子源由公司自主设计、精密制造并经过严格测试，确保基片始终符合最高标准。无论是首次运行还是第 100 次运行，离子源都能保持卓越性能，确保长期稳定可靠。
Nanochrome™ IV PARMS 系统 采用贝壳式机架设计，便于维护与调节。尽管是 Nanochrome™ 系列中体积最大的型号，但仍保持紧凑占地，有效减少实验室空间需求，适用于各种规模的研究环境。
系统提供两种高真空泵配置：低温泵 或 双涡轮分子泵。两者均性能出色——低温泵具备更快的抽真空速度与更洁净的运行环境，而涡轮分子泵则能处理更广范围的气体且无需再生步骤。此灵活设计使用户能够根据特定需求定制系统配置。
Nanochrome™ IV PARMS（等离子体辅助反应磁控溅射）系统 是现代溅射技术领域中的真正主力设备。基于可靠且高度灵活的 Nanochrome 平台 构建，PARMS 系统以无与伦比的材料质量和先进的工艺能力重新定义了 Nanochrome 系列的性能标杆。
Nanochrome™ IV PARMS 系统 支持多种激励模式下的磁控溅射，包括 双交流 (Dual AC)、脉冲直流 (Pulsed DC)、直流 (DC) 和 射频 (RF)。这种多样化能力使系统能够沉积多种氧化物材料，如 钽、铌、钛、锗 和 硅。对于不适用于磁控溅射的材料，系统配备的 电子束蒸发装置 可通过蒸发方式进行沉积，提供无与伦比的灵活性。系统最高溅射速率可达 5Å/s，充分体现出高效率；同时，其标志性的高精度设计确保在所有应用中实现一致且均匀的薄膜质量。
反应溅射是在腔体内引入反应性气体（如氧气或氮气），使其与纯金属靶材发生反应，形成反应薄膜的过程。通过调节反应气体的流量，可以精确控制薄膜的成分和性能，从而实现高质量的氧化物与氮化物薄膜制备。
与直接使用氧化物或氮化物靶材相比，反应溅射具有显著优势：
Nanochrome™ IV PARMS 系统 配备先进的光学终点监测功能，实现对沉积过程的精确控制。其主要特性包括：
可选的装载锁系统提供手动或自动配置，可在真空环境下实现样品更换。该设计可显著减少停机时间并提高工作流程效率，抽真空时间少于 10 分钟。
Nanochrome™ IV PARMS 系统 是大规模生产精密光学镀膜、滤光片、减反射镀膜、半导体、介电材料及超导体的理想选择。该系统被设计为生产制造的核心设备，而不仅仅是辅助工具。它可轻松应对多种先进工艺，包括 离子束辅助溅射、共溅射 和 光学终点监测，为高端制造提供卓越的灵活性与一致性。
精密光学镀膜与滤光片
减反射镀膜
半导体与介电材料
超导材料
可作为集群工具、独立模块或内部按需服务提供。
Nanoquest II 是一款专为光子器件制备高级研发而设计的精密离子束刻蚀系统。通过宽束离子源与可调节的基片运动控制，它能够在铌酸锂 (LiNbO₃) 及其他高难度材料上实现平滑且均匀的材料去除。可调离子能量控制、原位冷却以及灵活的掩膜方案共同保证了卓越的刻蚀质量，使其成为新一代铌酸锂器件制备的理想平台。
Nanochrome™ IV 采用 等离子体辅助反应磁控溅射 (PARMS) 工艺，沉积致密且高度均匀的氧化物与氮化物薄膜，为铌酸锂器件制造提供关键支持。这些镀层既可用于精确掩膜与钝化，也可用于光学性能调谐，同时保持材料界面的高度洁净与完整性。集成于 Intlvac 的集群式工艺环境中，Nanochrome™ IV 可实现洁净、可重复且高度可控的制程，为高性能光子与量子应用提供可靠的薄膜基础。
Aegis DLC 通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术，为 LNOI 波导制造提供精密刻蚀支持。该系统利用类金刚石碳 (DLC) 硬掩膜的高硬度、优异附着力和出色选择性，确保在离子束刻蚀过程中实现精确图案转移，生成光滑且高保真的铌酸锂结构，是先进光子与量子器件制造中不可或缺的关键环节。
Nanochrome IV PARMS
Nanochrome™ IV 采用 等离子体辅助反应磁控溅射 (PARMS) 工艺，沉积在 LiNbO₃ 器件制造各个阶段都至关重要的高均匀性氧化物与氮化物薄膜。这些高精度镀层为高性能光子器件提供必需的结构层、光学功能层以及防护层，确保器件在复杂应用场景中实现稳定、可靠的运行表现。
通过 PARMS 工艺，SiO₂、Si₃N₄ 和 Al₂O₃ 等材料可被沉积为致密且共形性优异的薄膜，非常适合作为掩膜层、钝化层以及光学功能调控层。在 Nanoquest II 进行高深宽比刻蚀时，这些高耐久性的镀层可作为坚固的硬掩膜，在严苛的等离子体与离子束环境下保持图形保真度并有效保护基片表面。完成纳米结构加工后，同类介电薄膜还可继续作为调谐或钝化层使用，从而增强光场约束能力并提升器件的整体可靠性。
PARMS 工艺无缝集成于 Intlvac 的集群式工艺环境中，使从沉积到刻蚀再到 lift-off 的整个流程在封闭体系内连续完成，避免了交叉污染风险。这样的闭环集成不仅确保了工艺的高度可重复性与界面的高度洁净，也为科研人员和制造企业在量子光子学、高速通信以及集成光学系统等前沿领域不断突破性能极限提供了强有力的工艺支撑。
Aegis DLC
Aegis DLC 系统在 LNOI（绝缘体上铌酸锂）波导制造中提供关键的精密刻蚀支持。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，系统使用碳氢前驱体沉积形成类金刚石碳薄膜，构建具有卓越硬度、附着力和刻蚀选择性的硬掩膜。
DLC 层沉积完成后，经过氧等离子体图案化，可定义高分辨率的复杂结构。随后利用氩离子束刻蚀 (IBE) 将这些图案精确转移至铌酸锂基片，实现纳米级精度和光滑、垂直的侧壁结构。刻蚀后清洗去除 DLC 掩膜，最终获得具有卓越光学性能的精细 LNOI 波导。
通过将机械强度与精确工艺控制相结合，Aegis DLC 模块确保可重复的高保真图案转移，是实现可靠、可扩展光子器件和量子技术生产的关键。
Nanoquest II
Nanoquest II 采用宽束离子源结合可全面调节的基片运动，通过氩气等惰性离子的动量传递，实现精确且纯物理机理的材料去除过程，完全避免了等离子体刻蚀对化学反应的依赖，从而在结构几何形貌、刻蚀均匀性以及表面质量方面提供卓越的可控性。
凭借对材料“无偏好”的离子束刻蚀能力，Nanoquest II 能够高效加工包括 LiNbO₃、SiO₂ 和蓝宝石 在内的各类高化学惰性材料。可调节的离子束入射角配合基片旋转，可获得光滑、垂直且几乎无重沉积缺陷的侧壁形貌；同时，通过可调离子能量与原位冷却，有效降低损伤与污染，从而保持器件的光学完整性与性能稳定。
系统的准直离子束可确保在直径最高达 200 mm 的晶圆上实现一致的刻蚀速率；其对包括金属及多层介电薄膜在内的多种掩膜材料的兼容性，则大幅提升了工艺灵活性。可选的倾斜刻蚀循环以及离子束中和功能，进一步保持表面光洁度达到光学级水准，使 Nanoquest II 成为铌酸锂及其他高难度基片先进光子器件制造的核心装备。
Nanochrome™ IV PARMS 系统 采用反应磁控溅射技术沉积高质量介电薄膜，并通过高电流、低能量离子源在基片表面实现最终致密化处理。该工艺在低压条件下实现更快的沉积速率和更高的生产效率。
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