自 1996 年以来一直提供技术解决方案
在 Intlvac，我们专注于刻蚀、蒸发、溅射以及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺技术，这些领域构成了我们的核心专长。
凭借在薄膜镀膜与刻蚀设备领域数十年的专业经验，Intlvac 已将多种先进工艺臻于成熟——包括电子束与热蒸发、直流磁控溅射以及等离子体辅助反应溅射。
在我们的在线商城中，您可以找到 Mark I 和 Mark II 离子源的所有组件。现货供应，次日发货。
Intlvac 是 Leybold 真空产品及认证服务在加拿大的独家分销商
Nanoquest II 是一款精密工程打造的离子束刻蚀（IBE）系统，专为满足先进微纳加工、光子学及材料研究的严苛需求而设计。该系统基于超高真空（UHV）平台构建，采用不锈钢腔体并配备主动热管理系统，提供卓越的稳定性、洁净度以及工艺重复性。
其核心配置为一套 22 厘米射频感应耦合等离子体（ICP）栅格离子源，可提供 100 至 1200 eV 的离子能量，束流电流超过 1 安培。凭借其通用刻蚀能力，该系统能够高效处理多种材料，包括金刚石、晶体基底（如硅、二氧化硅、二氧化钛、石英、玻璃和铌酸锂）以及各类金属材料。
无灯丝电离设计确保设备具备更长的使用寿命和更低的维护需求，而自对准离子光学系统则可提供高度均匀的束流分布，确保工艺结果的一致性与可靠性
水冷、可旋转并可倾斜的基片载台实现了精确的温度控制和高精度角度刻蚀，使工程化侧壁形貌设计、亚微米级图形保真以及对温度敏感薄膜的保护成为可能。Nanoquest II 集成了基于人机界面（HMI）的自动化平台，具备完整的工艺配方控制、过程数据记录以及用户权限管理功能，从而支持快速工艺开发和可重复的生产运行。
在 100 mm 基片范围内实现 ±3% 的面内均匀性，以及 ±2% 的片间重复性，Nanoquest II 为光学、电子及量子器件中对低损伤、高精度图形转移有严格要求的应用提供了稳定且高良率的解决方案。
Nanoquest II 在装载锁室中集成了自照明显微摄像系统，无需破坏真空即可进行观察。该系统安装于具备减振功能的高精度 XY 平台上，可分辨低至 1 微米的特征，并可在系统界面上直接显示图像。结合自动或手动的装载锁操作，该设计可最大限度减少停机时间，即使在处理复杂材料时也能确保实验室保持高效运行。
装载锁室支持直径最大达 100 mm 的基片，并通过带观察窗的快速开启顶部门进行操作。
Nanoquest II 采用 Intlvac 先进的 PLC 与计算机控制架构，实现对系统监控、工艺过程观测及数据管理的全面自动化。基于 HMI 的 Windows 图形化界面使操作更加直观，同时确保稳健可靠的工艺控制。
用户访问 – 多级密码保护机制可唯一识别用户并保障工艺数据安全。 自动化 – 一键执行抽真空、气体流量控制、系统调理、刻蚀循环及放气操作。
工艺灵活性 – 用户可全面访问工艺变量，并通过闭环反馈稳定控制，实现可重复的工艺结果。
安全与连接性 – 联锁系统防止不安全操作；紧急停止（EMO）开关便于快速停机；以太网连接支持网络访问。
即装即用 – 所有软件和硬件均已完成安装、测试与集成，可立即投入使用。
可提供集群设备、独立模块或按需内部服务。
Nanoquest II 是一款精密离子束刻蚀系统，专为光子器件制造的先进研发而设计。通过宽束离子源与可调基片运动控制，可在铌酸锂（LiNbO₃）及其他难加工材料上实现平滑且均匀的材料去除。其可调能量控制、原位冷却以及灵活的掩膜方案，确保卓越的刻蚀质量，使其成为制造新一代铌酸锂器件的理想选择。
Nanochrome™ IV 采用等离子体辅助反应磁控溅射（PARMS）技术，沉积致密且均匀的氧化物和氮化物薄膜，是铌酸锂器件制造的关键材料。这些涂层可实现精确掩膜、表面钝化及光学调控，同时保持材料界面的高洁净度。集成于 Intlvac 的集群系统环境中，Nanochrome IV 可确保清洁、可重复的工艺流程，满足高性能光子及量子应用需求。
Aegis DLC 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备类金刚石碳（DLC）硬掩膜，实现对 LNOI 波导制造的高精度刻蚀。其优异的硬度、附着力和选择比可确保离子束刻蚀过程中的精确图形转移，从而形成平滑且高保真的铌酸锂结构，满足先进光子与量子器件的关键需求。
Intlvac 提供先进的离子束与等离子体处理解决方案，适用于精密刻蚀、薄膜沉积、表面改性以及基片清洗等工艺。每种技术均具备独特的性能优势——从高度可控、定向的离子束处理，到均匀稳定的等离子体工艺，使其能够在多种材料体系中实现优化的加工效果。依托数十年的真空工程经验，我们的系统专为满足航空航天、光学、半导体及科研应用中的严苛要求而设计。我们与客户紧密合作，为研发与量产环境提供可靠的、面向具体应用的定制解决方案。
离子束刻蚀是一种高度可控的物理溅射工艺，通过将高能离子定向轰击基片，实现精确的各向异性材料去除。宽束、准直的离子束可确保整个基片表面的优异均匀性，同时通过可编程的基片运动进一步提升工艺一致性。该工艺具有良好的重复性且不依赖化学反应，适用于先进薄膜图形化和高精度器件制造。
其他系统
化学辅助离子束刻蚀在离子轰击过程中，将反应性气体直接引入基片表面。局部的化学反应可提高材料去除速率并增强选择性，同时保持良好的方向性控制。CAIBE 特别适用于复合材料以及需要定制刻蚀特性的应用场景。
反应性离子束刻蚀结合了物理离子轰击与离子源中生成的反应性物种。化学与物理作用的协同效应可提升刻蚀效率、增强选择性，并实现更精细的结构定义。该工艺特别适用于需要精确轮廓控制及高通量的结构化表面加工。
离子束修整利用精细控制的离子束，以纳米级精度选择性去除材料。通过调节束流扫描路径与驻留时间，可对材料厚度进行局部精确调节，从而实现目标器件性能优化。该工艺适用于先进功能器件中的高精度、确定性修正。
Nanoquest II 是 Intlvac Nanoquest 精密离子束刻蚀与铣削系统系列中的核心设备，专为先进材料改性与图形转移而设计。在紧凑型 Nanoquest Pico 和 Nanoquest I 的基础上升级而来，其具备更优异的束流控制、更高的均匀性，以及在金属、介电材料和半导体加工中的稳定性能。Nanoquest II 定位于研发与生产级系统之间，为科研及中试生产提供灵活性、精度与产能之间的理想平衡。