Electra-UHV 溅射沉积系统

由 Intlvac 开发的 Electra UHV 溅射系统 是一款紧凑型、专用化的平台，专为超高真空 (UHV) 环境下的先进薄膜沉积而设计，基底真空可达 10⁻¹⁰ Torr 级别。Electra 系统以精确性与灵活性为核心，非常适合用于新型材料的原型开发及科研应用。

配备 Intlvac 专有的基于 LabVIEW 控制器，Electra 能够实现磁性金属与绝缘材料的自动化溅射沉积。该系统可根据不同材料与工艺需求进行全面定制，满足多样化的研究与生产要求。

Electra-M 变体配备装载锁 系统，可在主腔外进行单片或多片基片的预装载与脱气处理，从而支持高通量工作流程并有效降低污染风险。

Electra-UHV 溅射沉积系统

由 Intlvac 开发的 Electra UHV 溅射系统 是一款紧凑型、专用化的平台，专为超高真空 (UHV) 环境下的先进薄膜沉积而设计，基底真空可达 10⁻¹⁰ Torr 级别。Electra 系统以精确性与灵活性为核心，非常适合用于新型材料的原型开发及科研应用。

配备 Intlvac 专有的基于 LabVIEW 控制器，Electra 能够实现磁性金属与绝缘材料的自动化溅射沉积。该系统可根据不同材料与工艺需求进行全面定制，满足多样化的研究与生产要求。

Electra-M 变体配备装载锁 系统，可在主腔外进行单片或多片基片的预装载与脱气处理，从而支持高通量工作流程并有效降低污染风险。

主要应用
  • MRAM 开发
  • 金属化工艺
  • 晶体生长研究
  • 氧化物与氮化物薄膜沉积
  • 磁性材料原型开发
系统规格
  • 紧凑型 “D” 形贝壳式腔体
  • 可配置多达 6 个 2 英寸磁控溅射源
  • 基底真空 < 5 × 10⁻⁹ Torr
  • 可容纳最大 100 mm 晶圆基片
  • 基片加热温度可达 800°C
系统特性
  • 通过装载锁实现快速抽气，维持超高真空 (UHV) 基底压力
  • 可生长非晶或晶体薄膜
  • 支持基片旋转、加热（最高 800°C）或冷却，并可选偏压功能
  • 旋转式基片托架，确保高温下的稳定性
  • 可配置离子辅助源
  • 支持顺序沉积或共沉积
  • 兼容 100 mm 晶圆及更小载片
  • 提供溅射与蒸发两种配置

物理气相沉积选项

  • 磁控溅射： 支持 RF、DC 或脉冲 DC 模式
  • 离子源： 用于基片预清洗或在薄膜生长过程中提供辅助
  • 带磁性操作手的装载锁腔体： 适用于 100 mm 晶圆传输
  • 可定制基片夹具 ： 单片、多片、行星式或专用设计

精密镀膜，卓越表现

凭借数十年薄膜技术领域的专业经验，Intlvac Electra UHV 平台为当今最先进的科研与制造机构提供所需的纯净度、可控性与可靠性。

thinfilm@intlvac.com | 1.800.959.5517

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