等离子体辅助反应磁控溅射技术 (P.A.R.M.S.) 能够生产在性能上可与离子束溅射 (IBS) 相媲美、成本却更低的光学镀膜，并且在蒸发镀膜和射频溅射工艺之上也具备明显优势。
反应磁控溅射在大面积基片上具有高度均匀性，并具备适合光学薄膜大规模生产的几何结构，覆盖从紫外 (UV) 到近红外 (NIR) 的光谱范围。与离子束溅射设备相比，磁控技术具有更长的平均故障间隔时间 (MTBM)，且耗材更少。反应溅射工艺能够以超过 30 nm/min 的速率，从高纯金属靶材中沉积氧化物和氮化物材料，从而缩短工艺周期。金属靶材在寿命、偏压、纯化以及热管理方面也具有优势。
当在磁控溅射过程中加入高电流离子源时，可以在保持靶材处于纯金属模式溅射的同时，降低缺陷密度并提升折射率稳定性。多种类型的磁控源（RF、AC、DC）还可同时运行，从而实现对活性光学材料中元素比例和掺杂水平的精确控制。
随着光学端点监测技术的进步，复杂多层薄膜沉积的精度得到进一步提升，能够实现与理论模型高度一致的光谱性能，并支持数百层设计的实现。总体而言，等离子体辅助反应磁控溅射仍然是生产光学滤光片、减反射膜 (AR) 以及高反射膜 (HR) 最可靠的方法之一。