Nanoquest I 离子束刻蚀与沉积系统

Intlvac Thin Film 推出的 Nanoquest I 是目前最具多功能性的离子束研发平台,专为科研与开发设计。该系统既可用于刻蚀,也可用于薄膜沉积,提供无与伦比的控制力与灵活性。离子束技术通过对离子能量、离子电流密度和束流入射角的独立控制,实现精准且可重复的工艺过程——无论是进行简单的惰性刻蚀,还是沉积复杂的多层薄膜结构,Nanoquest I 都会是最理想的选择。



精密的工程设计

Nanoquest I 系统专为高性能、高要求的科研环境打造:

  • 离子束控制:可对离子参数进行精细调整,确保最大工艺灵活性与重复性。
  • 双重功能:支持在同一平台上进行离子束刻蚀与薄膜沉积。
  • 专注研发: 为实验工艺、定制配置和材料创新量身打造。

坚固的系统结构

Nanoquest I 配备超高真空(UHV)腔体,采用不锈钢材料,并采用兼容UHV的工艺制造而成。其电抛光外壳不仅外观洁净、专业,还便于集成至无尘室环境中。

  • 高效热管理:不锈钢冷却通道以网状结构焊接,作为高效的散热器使用。
  • 优化操作便捷性:配有铰链和差分抽气前门可轻松向外打开,便于舱体内部部件的保养和检修。
  • 过程可视性:多个观察窗(可选装预真空腔上亦配置一个)可实现对内部工艺过程的全方位监控。

Nanoquest I-LL:预真空系统

为提高产能并控制污染,Nanoquest I-LL 配置了先进的预真空腔:

  • 磁耦合驱动:可将安装在托盘上的晶圆安全地传输至主腔体。
  • 更短的循环时间:在不破坏真空的情况下实现样品的快速更换。
  • 更洁净的工艺:显著减少水气和颗粒,降低工艺漂移风险。
  • 真空性能:使用干式泵加冷泵或磁悬浮涡轮分子泵,在30分钟内达到1×10⁻⁶ Torr,24小时内达到5×10⁻⁸ Torr。

先进的系统控制

系统采用基于 LabVIEW 的自动化控制界面,提供在 Windows 环境下对整个系统直观且全面的管理:

  • 自动工艺流程控制:全自动气动执行器,实现腔体的自动抽真空与放气。
  • 工艺可靠性:精准控制确保多次实验之间的重复性。
  • AutoVac 集成:与 Intlvac 的 AutoVac 控制器无缝集成,实现系统自动放气。

精密的基片处理平台

Nanoquest I 的基片载台专为高均匀性刻蚀与沉积设计,支持直径最大为6英寸的晶圆:

  • 旋转功能:0–45 RPM,带偏移控制以确保均匀度。
  • 入射角控制:由步进电机驱动,计算机控制,真空下可调角度范围为 0° 至 270°,控制精度优于 ±0.1°。
  • 水冷载台:直接接触式水冷,确保整个过程中的热稳定性。
  • 便捷操作:载台安装于向外打开的腔体门上,方便访问腔体内部。
  • 集成挡板:气动驱动,可选配束流电流探头。

支持的工艺

  • 离子束刻蚀
  • 离子束溅射沉积
  • 离子束辅助沉积(IBAD)
  • 反应性离子束沉积(RIBE)
  • 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

为何选择 Nanoquest I

  • 对薄膜刻蚀与沉积过程实现卓越控制
  • 紧凑型设计,采用洁净室兼容的不锈钢结构
  • 可选预真空腔,提升产能与洁净度
  • 先进的计算机控制,实现工艺自动化管理
  • 多个集成观察窗,工艺全过程可视化
  • 可配置为离子束溅射、电子束沉积及 斜角沉积(GLAD)

离子束与等离子体处理技 

Intlvac 提供先进的离子束与等离子体处理解决方案,适用于精密刻蚀、薄膜沉积、表面改性以及基片清洗等工艺。每种技术均具备独特的性能优势——从高度可控、定向的离子束处理,到均匀稳定的等离子体工艺,使其能够在多种材料体系中实现优化的加工效果。依托数十年的真空工程经验,我们的系统专为满足航空航天、光学、半导体及科研应用中的严苛要求而设计。我们与客户紧密合作,为研发与量产环境提供可靠的、面向具体应用的定制解决方案。


核心工艺技术包括:
 
  • 离子束刻蚀(IBE) / 离子束铣削(IBM)
  • 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)
  • 反应性离子束刻蚀(RIBE)
  • 离子束修整(IBT)
  • 离子束溅射沉积(IBS)



离子束刻蚀(IBE)/ 离子束铣削(IBM)


离子束刻蚀是一种高度可控的物理溅射工艺,通过将高能离子定向轰击基片,实现精确的各向异性材料去除。宽束、准直的离子束可确保整个基片表面的优异均匀性,同时通过可编程的基片运动进一步提升工艺一致性。该工艺具有良好的重复性且不依赖化学反应,适用于先进薄膜图形化和高精度器件制造。

其他系统

  • Nanoquest ii
  • Nanoquest iii
  • Nanoquest Pico

化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)


化学辅助离子束刻蚀在离子轰击过程中,将反应性气体直接引入基片表面。局部的化学反应可提高材料去除速率并增强选择性,同时保持良好的方向性控制。CAIBE 特别适用于复合材料以及需要定制刻蚀特性的应用场景。

其他系统

  • Nanoquest ii
  • Nanoquest iii
  • Nanoquest Pico

反应性离子束刻蚀(RIBE) 


反应性离子束刻蚀结合了物理离子轰击与离子源中生成的反应性物种。化学与物理作用的协同效应可提升刻蚀效率、增强选择性,并实现更精细的结构定义。该工艺特别适用于需要精确轮廓控制及高通量的结构化表面加工。

其他系统

  • Nanoquest ii
  • Nanoquest iii
  • Nanoquest Pico

离子束修整(IBT)


离子束修整利用精细控制的离子束,以纳米级精度选择性去除材料。通过调节束流扫描路径与驻留时间,可对材料厚度进行局部精确调节,从而实现目标器件性能优化。该工艺适用于先进功能器件中的高精度、确定性修正。

其他系统

  • Nanoquest ii
  • Nanoquest iii
  • Nanoquest Pico