自 1996 年以来一直提供技术解决方案
在 Intlvac，我们专注于刻蚀、蒸发、溅射以及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺技术，这些领域构成了我们的核心专长。
凭借在薄膜镀膜与刻蚀设备领域数十年的专业经验，Intlvac 已将多种先进工艺臻于成熟——包括电子束与热蒸发、直流磁控溅射以及等离子体辅助反应溅射。
在我们的在线商城中，您可以找到 Mark I 和 Mark II 离子源的所有组件。现货供应，次日发货。
Intlvac 是 Leybold 真空产品及认证服务在加拿大的独家分销商
由于非极性的 C–H 键与均匀光滑的表面结构，DLC 膜层具有优异的疏水特性，可有效排斥水分，防止元件受潮损坏，并进一步降低维护需求。
即使在接近 1 nm 的超薄膜厚下，仍能提供坚固防护，有效延长基片寿命并提升整体性能可靠性。
DLC 镀膜保持与晶体金刚石相近的摩擦学特性，原子密度达 95%，硬度为金刚石的 75%，杨氏模量约为金刚石的 66%，提供卓越的耐磨与防护性能。
无需旋转即可实现卓越均匀性
Aegis 系统可在包括硅 (Si)、锗 (Ge)、蓝宝石、光学玻璃、金属、塑料及 II-VI 化合物等多种基片上，生成厚度高达数微米的高密度均匀膜层。此项先进能力可减少材料浪费并缩短真空工艺时间，从而有效降低整体成本。
图 1：在无需旋转机构的情况下实现超高膜层均匀性，确保从中心到边缘的膜层质量一致。
所有镀膜均通过严格的 ISO、MIL 和 TS 标准认证，以确保在苛刻环境条件下的长期性能、附着力与可靠性。测试涵盖机械耐久性、光学稳定性以及环境耐受性，其结果达到或超过行业与军用规范要求。
可作为集群工具、独立模块或内部按需服务提供。
Nanoquest II 是一款专为光子器件制备高级研发而设计的精密离子束刻蚀系统。通过宽束离子源与可调节的基片运动控制，它能够在铌酸锂 (LiNbO₃) 及其他高难度材料上实现平滑且均匀的材料去除。可调离子能量控制、原位冷却以及灵活的掩膜方案共同保证了卓越的刻蚀质量，使其成为新一代铌酸锂器件制备的理想平台。
Nanochrome™ IV 采用 等离子体辅助反应磁控溅射 (PARMS) 工艺，沉积致密且高度均匀的氧化物与氮化物薄膜，为铌酸锂器件制造提供关键支持。这些镀层既可用于精确掩膜与钝化，也可用于光学性能调谐，同时保持材料界面的高度洁净与完整性。集成于 Intlvac 的集群式工艺环境中，Nanochrome™ IV 可实现洁净、可重复且高度可控的制程，为高性能光子与量子应用提供可靠的薄膜基础。
Aegis DLC 通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术，为 LNOI 波导制造提供精密刻蚀支持。该系统利用类金刚石碳 (DLC) 硬掩膜的高硬度、优异附着力和出色选择性，确保在离子束刻蚀过程中实现精确图案转移，生成光滑且高保真的铌酸锂结构，是先进光子与量子器件制造中不可或缺的关键环节。
Aegis DLC
Aegis DLC 系统在 LNOI（绝缘体上铌酸锂）波导制造中提供关键的精密刻蚀支持。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，系统使用碳氢前驱体沉积形成类金刚石碳薄膜，构建具有卓越硬度、附着力和刻蚀选择性的硬掩膜。
DLC 层沉积完成后，经过氧等离子体图案化，可定义高分辨率的复杂结构。随后利用氩离子束刻蚀 (IBE) 将这些图案精确转移至铌酸锂基片，实现纳米级精度和光滑、垂直的侧壁结构。刻蚀后清洗去除 DLC 掩膜，最终获得具有卓越光学性能的精细 LNOI 波导。
通过将机械强度与精确工艺控制相结合，Aegis DLC 模块确保可重复的高保真图案转移，是实现可靠、可扩展光子器件和量子技术生产的关键。
Nanoquest II
Nanoquest II 采用宽束离子源结合可全面调节的基片运动，通过氩气等惰性离子的动量传递，实现精确且纯物理机理的材料去除过程，完全避免了等离子体刻蚀对化学反应的依赖，从而在结构几何形貌、刻蚀均匀性以及表面质量方面提供卓越的可控性。
凭借对材料“无偏好”的离子束刻蚀能力，Nanoquest II 能够高效加工包括 LiNbO₃、SiO₂ 和蓝宝石 在内的各类高化学惰性材料。可调节的离子束入射角配合基片旋转，可获得光滑、垂直且几乎无重沉积缺陷的侧壁形貌；同时，通过可调离子能量与原位冷却，有效降低损伤与污染，从而保持器件的光学完整性与性能稳定。
系统的准直离子束可确保在直径最高达 200 mm 的晶圆上实现一致的刻蚀速率；其对包括金属及多层介电薄膜在内的多种掩膜材料的兼容性，则大幅提升了工艺灵活性。可选的倾斜刻蚀循环以及离子束中和功能，进一步保持表面光洁度达到光学级水准，使 Nanoquest II 成为铌酸锂及其他高难度基片先进光子器件制造的核心装备。
Nanochrome IV PARMS
Nanochrome™ IV 采用 等离子体辅助反应磁控溅射 (PARMS) 工艺，沉积在 LiNbO₃ 器件制造各个阶段都至关重要的高均匀性氧化物与氮化物薄膜。这些高精度镀层为高性能光子器件提供必需的结构层、光学功能层以及防护层，确保器件在复杂应用场景中实现稳定、可靠的运行表现。
通过 PARMS 工艺，SiO₂、Si₃N₄ 和 Al₂O₃ 等材料可被沉积为致密且共形性优异的薄膜，非常适合作为掩膜层、钝化层以及光学功能调控层。在 Nanoquest II 进行高深宽比刻蚀时，这些高耐久性的镀层可作为坚固的硬掩膜，在严苛的等离子体与离子束环境下保持图形保真度并有效保护基片表面。完成纳米结构加工后，同类介电薄膜还可继续作为调谐或钝化层使用，从而增强光场约束能力并提升器件的整体可靠性。
PARMS 工艺无缝集成于 Intlvac 的集群式工艺环境中，使从沉积到刻蚀再到 lift-off 的整个流程在封闭体系内连续完成，避免了交叉污染风险。这样的闭环集成不仅确保了工艺的高度可重复性与界面的高度洁净，也为科研人员和制造企业在量子光子学、高速通信以及集成光学系统等前沿领域不断突破性能极限提供了强有力的工艺支撑。
当您需要按需镀膜时，Aegis DLC 系统随时为您提供支持。凭借数十年的研究积累，我们打造了一系列内部 DLC 系统，构建了由专业技术人员与研发专家组成的行业领先镀膜实验室。我们的专有 DLC 工艺配方可根据您的独特应用进行定制——无论是复杂几何结构、特殊基片，还是高产量生产。选择 Aegis，您将获得精度、性能与速度的完美结合，正如您所需，恰在其时。
与我们的研发专家合作，为您的需求量身定制理想的 DLC 镀膜方案。从概念到完成，我们的团队全程协作，精准优化镀膜性能、附着力与耐久性。
我们不仅是设备操作者，更是薄膜行业的建设者、创新者与开拓者。我们的研发团队不断突破技术极限，凭借 Aegis 系统，无论多复杂的项目都能从容应对。
Intlvac 提供面向红外光谱的全面薄膜沉积系统与服务，涵盖蒸发、溅射及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术。我们可在 3–5μm 和 8–12μm 波段范围内提供宽带减反射 (AR) 镀膜，适用于硅 (Si)、锗 (Ge) 及硫系光学材料。金刚石镀膜是这些软质材料的理想保护层，并凭借其高折射率，亦可作为单层薄膜用于减反射应用。