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在 Intlvac，我们专注于刻蚀、蒸发、溅射以及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺技术，这些领域构成了我们的核心专长。
凭借在薄膜镀膜与刻蚀设备领域数十年的专业经验，Intlvac 已将多种先进工艺臻于成熟——包括电子束与热蒸发、直流磁控溅射以及等离子体辅助反应溅射。
在我们的在线商城中，您可以找到 Mark I 和 Mark II 离子源的所有组件。现货供应，次日发货。
Intlvac 是 Leybold 真空产品及认证服务在加拿大的独家分销商
Nanochrome IV 离子束溅射沉积 可在直径 250 mm 及以下的基片上进行沉积，可根据工艺需求配置为带装载锁或批量开盖式上片模式。凭借向上溅射几何结构，该系统为薄膜制造提供高品质、低颗粒的 PVD 沉积能力。该技术能够在低压条件下对金属和介电材料进行溅射，而无需为阴极供电。系统配备多靶位转盘、高速旋转基片载台、离子辅助功能、QCM 石英晶体监测以及面向光学应用的动态光学控制仪表，可制备出高致密度、低颗粒、表面光滑且材料特性稳定的功能薄膜。
Nanochrome IV IBSD 可在直径 250 mm 及以下的基片上进行沉积，可根据工艺需求配置为带装载锁或批量开盖式上片模式。凭借向上溅射几何结构，该系统为薄膜制造提供高品质、低颗粒的 PVD 沉积能力。该技术能够在低压条件下对金属和介电材料进行溅射，而无需为阴极供电。系统配备多靶位转盘、高速旋转基片载台、离子辅助功能、QCM 石英晶体监测以及面向光学应用的动态光学控制仪表，可制备出高致密度、低颗粒、表面光滑且材料特性稳定的功能薄膜。
离子束溅射沉积 是一种将溅射靶材置于等离子体区域外的薄膜制备技术。首先，由宽束主离子源在内部产生等离子体，并将能量小于 1500 eV 的高能离子束轰击溅射靶材。在靶材表面，原子和分子被溅射出去，其能量与通量分布由离子束特性、靶材材料性质及几何排布共同决定，从而实现对薄膜沉积过程的精确控制。
Nanochrome™ IV 离子束溅射沉积 是一款紧凑型、全自动离子束溅射系统，专为高质量金属与介电薄膜沉积而设计。其 HV/UHV 兼容的电解抛光不锈钢腔体有效避免了铝制腔体常见的析气问题，并提供出色的本底真空性能。配合无油干泵以及装载锁基片传输等高通量选项，系统可确保真空环境洁净稳定，非常适合用于科研开发与小规模量产应用。
系统配备高电流密度栅格宽束离子源，能量范围 100–1500 eV，可使用氩气等惰性气体或氧气、氮气等反应性气体。内置中和器可形成准中性离子束，从而在介电材料上实现稳定沉积。系统还可选配第二离子源，用于原位预清洗及 离子束辅助沉积 (IBAD)，以提升薄膜致密度并支持更复杂的反应性工艺。多靶位转盘具备精确角度控制与索引功能，可实现高重复性的多层薄膜结构制备。
高速方位旋转基片载台通过对溅射羽流不均匀性的动态平均，实现卓越的膜厚均匀性。系统支持被动与主动热管理，包括红外加热灯，以实现温度可控的沉积过程。完整的自动化控制覆盖抽空流程、配方执行及闭环工艺控制。用户友好的图形化界面可实时查看系统状态、运行诊断，并管理多层工艺配方，并可结合可选的原位监测工具，持续保障高一致性的薄膜生长。
Nanochrome™ IV 离子束溅射沉积 系统 是一种物理气相沉积 工艺，通过远程宽束离子 / 等离子体源瞄准接地（或悬浮）的溅射靶材进行轰击。入射离子从靶材表面溅射出原子或分子，形成蒸汽通量并在基片表面凝结，生长为高质量薄膜。
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