自 1996 年以来一直提供技术解决方案
在 Intlvac，我们专注于刻蚀、蒸发、溅射以及等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺技术，这些领域构成了我们的核心专长。
凭借在薄膜镀膜与刻蚀设备领域数十年的专业经验，Intlvac 已将多种先进工艺臻于成熟——包括电子束与热蒸发、直流磁控溅射以及等离子体辅助反应溅射。
在我们的在线商城中，您可以找到 Mark I 和 Mark II 离子源的所有组件。现货供应，次日发货。
Intlvac 是 Leybold 真空产品及认证服务在加拿大的独家分销商
Nanoquest II 是一款为满足先进微细加工、光子学与材料研究严格要求而精密设计的离子束刻蚀 (IBE) 系统。基于超高真空 (UHV) 平台构建，采用不锈钢结构并集成主动热管理方案，Nanoquest II 在稳定性、洁净度以及工艺可重复性方面表现卓越。
系统的核心是一只 22 cm 射频感应耦合等离子体 (RF ICP) 栅极离子源，可提供 100–1200 eV 范围内的离子能量，束流电流可超过 1 Amp。凭借通用刻蚀能力，Nanoquest II 能够高效加工多种材料，包括金刚石、各类晶体基片（如硅、二氧化硅、二氧化钛、石英、玻璃、铌酸锂）以及各类金属材料。
无灯丝电离设计确保离子源具有较长使用寿命并将维护需求降至最低，而自校准离子光学组件则可实现高均匀度的束斑分布与高度一致的工艺结果。
水冷、可旋转且可倾斜的基片载台实现了严密的热管理与精确的角度刻蚀控制，使得侧壁形貌可工程化调节、亚微米级图形保真得以实现，并有效保护对温度敏感的薄膜。Nanoquest II 集成基于 HMI 的自动化控制平台，提供完整的配方管理、工艺数据记录以及用户权限分级，既适用于快速工艺开发，也适用于高重复性的量产运行。
在 100 mm 基片上实现 ±3% 面内均匀性，并在片与片之间保持 ±2% 的重复性，Nanoquest II 为光学、电子及量子器件中要求低损伤、高精度图形转移的应用提供了稳定且高良率的解决方案。
Nanoquest II 将自发光显微镜摄像头集成在装载锁腔体中，并且无需破坏真空环境。显微模块安装在带减振功能的高精度 XY 载台上，可分辨细至 1µm 的结构特征，并将图像直接显示在系统界面中。配合自动或手动装载锁操作，这一设计大幅减少停机时间，即使在处理具有挑战性的材料时，也能让实验室持续高效运行。
装载锁腔体可支持直径最高 100 mm 的基片，并通过带观察窗的快速开启顶部舱门进行操作。
Nanoquest II 采用 Intlvac 的现代化 PLC + 计算机控制架构，为系统监控、工艺观察与数据管理提供全面自动化支持。基于 HMI 的 Windows 图形界面使操作直观易用，同时确保工艺控制稳定可靠。
可作为 集群式工艺平台、独立模块，或 内部按需服务 灵活部署。
Nanoquest II 是一款专为光子器件制备高级研发而设计的精密离子束刻蚀系统。通过宽束离子源与可调节的基片运动控制，它能够在铌酸锂 (LiNbO₃) 及其他高难度材料上实现平滑且均匀的材料去除。可调离子能量控制、原位冷却以及灵活的掩膜方案共同保证了卓越的刻蚀质量，使其成为新一代铌酸锂器件制备的理想平台。
Nanochrome™ IV 采用 等离子体辅助反应磁控溅射 (PARMS) 工艺，沉积致密且高度均匀的氧化物与氮化物薄膜，为铌酸锂器件制造提供关键支持。这些镀层既可用于精确掩膜与钝化，也可用于光学性能调谐，同时保持材料界面的高度洁净与完整性。集成于 Intlvac 的集群式工艺环境中，Nanochrome™ IV 可实现洁净、可重复且高度可控的制程，为高性能光子与量子应用提供可靠的薄膜基础。
Aegis DLC 通过 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 沉积类金刚石碳 (DLC) 硬掩膜，为 LNOI 波导制备提供高精度刻蚀能力。其出色的硬度、附着力及刻蚀选择比，确保在离子束刻蚀过程中实现精确的图形转移，形成光滑、高保真度的铌酸锂结构，为先进光子与量子器件制造提供关键支撑。
Nanoquest II 是 Intlvac Nanoquest 精密离子束刻蚀与铣削产品系列的核心系统，专为先进材料改性与图形转移应用而设计。基于更为紧凑的 Nanoquest Pico 与 Nanoquest I 平台，Nanoquest II 提供更出色的束流控制、更优异的刻蚀均匀性，并在金属、介电材料与半导体等多种材料上保持稳定的工艺表现。定位于 科研级设备与量产级系统之间，Nanoquest II 在灵活性、精度与通量之间实现了理想平衡，是研究型应用与试生产制造环境的理想选择。