铟焊凸点键合技术

Intlvac 的 Icarus 系统几何结构确保沉积前沿极其平整均匀，带来卓越的“Lift-off”效果。从按下启动按钮到取出带有 2 微米无飞溅镀层的完成晶圆，全程不到 90 分钟。

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铟凸点镀膜服务

高精度薄膜沉积，助力先进微电子应用

Intlvac Thin Film 专注于高品质铟薄膜沉积，采用先进的物理气相沉积 (PVD) 技术。我们的工艺实现精准、洁净且高性能的镀膜，专为量子计算、焦平面阵列、低电阻欧姆接触以及半导体制造等前沿应用而优化。

为什么选择铟？

铟是一种延展性强、熔点仅为 156.6 °C 的金属，非常适用于低温微电子工艺，避免损伤敏感元件。它具备优异的导热性，并与 III-V 与 II-VI 半导体兼容性极佳，因此成为以下应用的关键材料：

• 高性能电接触
• 半导体器件的高效散热
• 融入复杂晶体结构
• 下一代计算系统的可靠互连

PVD 铟镀膜的优势

与电镀等方法相比，PVD 沉积具有：

• 更佳的膜层附着力和致密性
• 出色的厚度均匀性
• 减少环境波动影响
• 更广的材料兼容性
• 精准控制厚度与形貌

在低温下沉积的薄膜还能进一步提升：

• 剪切强度与附着力
• 柱状晶体生长
• 抑制横向原子迁移

Icarus 铟镀膜系统

Intlvac 的 Icarus 平台专为高通量、高精度的铟膜沉积而打造。该专有系统具备行业领先的性能、稳定性与产能。

核心性能亮点

• 
  在 200 mm 晶圆上实现高达 70 Å/s 的无飞溅沉积
• 
  8 英寸晶圆上厚度均匀性优于 5%
• 低温沉积获得细小晶粒的纹理化形貌
• 
  优异的微结构分辨率：

  • 5 微米特征尺寸
  • 10 微米像素间距
• 
  高效 Lift-off 良率：

  • 准直束流减少侧壁沉积
  • 实现清晰图形定义与精准特征转移
• 
  灵活的凸点阵列：

  • 无论方形或圆形几何均能保持一致填充

优化的 Lift-Off 工艺

采用负性光刻胶，带来：

• 
  更高的选择性与工艺稳定性
• 在金属沉积过程中耐溶剂侵蚀
• 干净的 Lift-off 边缘，最小化桥接
• 额外工艺步骤中依旧保持图形完整

应用领域

Intlvac 的铟薄膜非常适合用于：

• 量子计算互连
• 红外焦平面阵列 (FPAs)
• 倒装芯片凸点键合
• 高可靠性欧姆接触形成
• 敏感光电封装

联系我们

如果您的应用需要高精度、高质量、具备严格过程控制与可扩展性的铟镀膜解决方案，Intlvac 将是值得信赖的合作伙伴。让我们为您的技术量身打造专属方案。