Icarus 铟焊凸点沉积系统

高通量 PVD 铟镀膜系统,专为半导体应用而设计

为速度、精度与可靠性而打造

Intlvac Icarus 铟焊凸点沉积系统 专为高产量生产而优化,能够在保持卓越重复性的同时实现快速处理。从按下“启动”按钮到取出完全加工完成的 200 mm 晶圆,全程耗时不足 90 分钟,使 Icarus 成为应对高要求半导体制造环境的顶级解决方案。

Icarus 铟焊凸点沉积系统

高通量 PVD 铟镀膜系统,专为半导体应用而设计

为速度、精度与可靠性而打造

Intlvac Icarus 铟焊凸点沉积系统 专为高产量生产而优化,能够在保持卓越重复性的同时实现快速处理。从按下“启动”按钮到取出完全加工完成的 200 mm 晶圆,全程耗时不足 90 分钟,使 Icarus 成为应对高要求半导体制造环境的顶级解决方案。

为生产效率而设计 

  • 延长运行时间:可在无需打开主真空腔的情况下完成数百次沉积操作。
  • 快速铟补充:通过使用预装铟的坩埚单元进行快速、简便更换,最大限度减少停机时间。
  • 2.5 小时工艺周期:可在 2.5 小时内完成全 4μm 厚度的铟沉积。

高级特性

卓越的铟膜质量 — 无“溅射”现象

Intlvac 开发了先进的铟超纯化技术,彻底消除了沉积过程中常见的“溅射”问题。该技术可获得高纯度、均匀的镀膜质量,这对于微电子应用至关重要。

热键合实现精确温度控制

我们的系统通过将基片与样品台进行热键合,实现 +60°C 至 -75°C 的精确温度管理,确保:
  • 优异的热接触性能
  • 均匀的薄膜沉积
  • 理想的附着力与微观结构

为什么选择 PVD 进行铟沉积?

与电镀及其他方法相比,物理气相沉积 (PVD) 具有以下优势:

  • 更优异的附着力与均匀性
  • 更高的薄膜致密度与纯度
  • 可控的膜厚,满足高要求应用
  • 广泛的材料兼容性

精密焊凸点阵列

Icarus 系统在焊凸点成形过程中始终确保一致的高质量结果,其优势包括:
  • 高成品率的剥离工艺:得益于准直蒸发通量与极少的侧壁镀膜,实现高良率剥离。
  • 优异的形状与尺寸一致性:适用于方形与圆形凸点阵列,确保几何精度。
  • 低温沉积工艺:有效减少晶体缺陷并提高剪切强度。

铟在微电子器件中的应用

铟具有 低熔点 (156.6°C) 和 优异的导热性能,因此非常适用于以下领域:
  • 倒装芯片键合
  • 半导体封装
  • 微处理器与集成电路
  • 需要高效散热与低温工艺的应用

为您的晶圆厂做好准备

无论您是在扩大产能,还是在优化器件可靠性,Icarus 铟沉积系统都能提供您所需的性能、灵活性与技术支持。 立即联系我们,了解 Icarus 如何助力您下一代微电子器件的制造。

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Icarus 铟沉积系统

进一步了解我们的 Icarus 铟沉积系统

  • 高沉积速率
  • 高膜层均匀性
  • 高精度工艺温控
  • 高剥离良率
  • 卓越的凸点阵列

Intlvac 铟焊凸点沉积系统 专为高通量生产而设计,具备低维护需求与快速处理能力。凭借 Intlvac 专有技术及 30 余年系统制造与镀膜服务经验,该系统在可靠性与性能方面表现卓越。非常适用于高产量市场,可在 120 分钟内完成一片 200 mm 晶圆的全流程加工。

浏览我们的最新产品手册,了解更多关于 Icarus 铟焊凸点沉积系统的信息。